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机译:瞬态电容光谱法研究具有Ge纳米晶体的Si-SiO_2结构中的界面和边界陷阱弛豫
Beyer Associates, Nanomaterials, Yorckstrasse 58, D-09130 Chemnitz, Germany;
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, D-01314 Dresden, Germany;
Beyer Associates, Nanomaterials, Yorckstrasse 58, D-09130 Chemnitz, Germany;
nanocrystals; Si-SiO_2 interface states; capacitance transient spectroscopy;
机译:具有恒电容深型瞬态光谱的SiO_2 / SiC近接口氧化物阱的表征
机译:电容瞬态光谱法检测的28 nm节点场效应晶体管中的界面陷阱
机译:利用高温电导光谱法表征Si-SiO_2(100)界面处的电荷俘获
机译:通过硅 - 氧和硅 - 氧 - 碳合金的热退火生产硅纳米晶体:Si-SiO_2和SiC-SiO_2界面的化学和结构松弛模型系统
机译:瞬态电容光谱法测定气相生长的铟磷化物中的本体态和界面态
机译:氧官能化的苯乙酮在DNA的光氧化中的结构依赖性反应性:通过光解自由基的形成(自旋俘获EPR光谱瞬态动力学)与光敏化(电子转移氢原子抽象)形成碱基氧化和链断裂
机译:siO $ _2 $ / siC结构中界面陷阱的表征接近于 通过深层瞬态光谱学的传导带