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陈开茅; 邱素娟;
不详;
砷化镓; 离子注入; 少子陷阱; 空穴;
机译:碰撞电离对包括空穴陷阱在内的GaAs n-i-n结构的I-V特性的影响
机译:具有深中心陷阱的半绝缘GaAs P〜+ N,PN〜+,P〜+ N〜+结二极管的击穿电压的研究和建模
机译:接触在热激发电流谱法表征半绝缘GaAs中深陷阱的作用
机译:关于氮氧化硅p-MOSFET中NBTI的物理机制:绝缘子处理条件的不同能否解决界面陷阱的产生与空穴陷阱的争议?
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:关于氮氧化硅p-MOSFET中NBTI的物理机制:绝缘体处理条件的差异能否解决界面陷阱的产生与空穴陷阱的争论?
机译:深层陷阱在光控半绝缘Gaas开关中的作用。
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:包含He-N2共注入形成的电荷陷阱层的高电阻绝缘硅衬底
机译:包含由He-N2共注入形成的电荷陷阱层的高电阻绝缘硅衬底
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