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机译:HfO2 / Al2O3栅叠层对平面InxGa1-xAs隧穿场效应晶体管电性能的影响
Univ Tokyo, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
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机译:HFO2封装对少数层MOS2晶体管电气性能的影响,用ALD HFO2作为背栅电介质
机译:SiO 2 sub> /高堆叠栅氧化物结构的双栅极隧道场效应晶体管电特性的紧凑二维分析模型
机译:新型双栅极金属注入堆叠栅极氧化术隧道场效应晶体管(TFET)的分析模型,用于低功耗和高速性能
机译:新型具有SiO2 / HfO2堆叠栅氧化物的无结隧道效应晶体管,用于改善直流性能
机译:通过接口工程提高有机场效应晶体管的电性能
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:退火对原子层沉积HfO2栅介质的多层MoS2晶体管电性能的影响
机译:具有0.25微米栅极假晶入(0.60)Ga(0.40)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp调制掺杂场效应晶体管的单片集成平面前端光接收器