机译:新型双栅极金属注入堆叠栅极氧化术隧道场效应晶体管(TFET)的分析模型,用于低功耗和高速性能
Department of Electronics and Telecommunication Engineering Jadavpur University Kolkata 700032 India;
Department of Electronics and Communication Engineering Meghnad Saha Institute of Technology Kolkata 700150 India;
Department of Electronics and Communication Engineering Meghnad Saha Institute of Technology Kolkata 700150 India;
Department of Electronics and Telecommunication Engineering Jadavpur University Kolkata 700032 India;
Analytical model; Band-to-band tunnelling; Gate-capacitance; Inverter; Subthreshold swing; Tunnel field-effect transistor (TFET);
机译:堆叠栅氧化物结构的异质结双栅隧道场效应晶体管的二维分析模型
机译:SiO 2 sub> /高堆叠栅氧化物结构的双栅极隧道场效应晶体管电特性的紧凑二维分析模型
机译:具有SiO2 / HfO2堆叠栅氧化物结构的双材料双栅极TFET的电学特性的二维分析建模
机译:双栅极和双层双栅极TFET与低功率应用的高k堆叠栅极结构的分析模型比较
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:低功耗应用双层双栅极隧道场效应晶体管的分析建模与仿真