2/HfO
Logic gates; TFETs; Tunneling; Junctions; Electrical engineering; Dielectrics; Hafnium oxide;
机译:HfO2 / Al2O3栅叠层对平面InxGa1-xAs隧穿场效应晶体管电性能的影响
机译:新型双栅极金属注入堆叠栅极氧化术隧道场效应晶体管(TFET)的分析模型,用于低功耗和高速性能
机译:使用Al-掺杂的HFO2薄膜的金属 - 铁电 - 绝缘子 - 半导体栅极叠层的铁电场效应存储器晶体管的长期和高温保留稳定性的改进
机译:先进的双栅极PN构造可改善隧穿场效应晶体管的性能
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:以SiO2为栅绝缘体的TiO2-x基场效应晶体管性能改善的机理
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管