机译:使用硅雪崩光电二极管的INAS / GaAs量子点的单光子特性表征1.3?μm排放
机译:InAs / GaAs量子点的应变耦合双层在最高120 K的温度下发出1.3μm单光子发射
机译:在高达77 K的电信C波段中具有单光子发射的InAs /(In)GaAs / GaAs量子点的结构和光学性质
机译:硅上单片1.3μmInAs / GaAs量子点激光器的动态特性
机译:1.3毫米InAs量子点激光器的表征和建模。
机译:用于红色光谱范围内单光子发射的InAs / AlGaAs量子点
机译:硅上单片1.3μminas / gaas量子点激光器的动态特性