单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备

摘要

通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2。这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。