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刘玉敏; 俞重远; 任晓敏;
北京邮电大学,理学院,北京,100876;
光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学,北京,100876;
应变工程; 半导体量子点; 隔离层; 盖层;
机译:GaAsSb覆盖层厚度对InAs量子点光学性能的影响
机译:GaAs中自组装MOVPE生长的InAs量子点中覆盖层厚度对电子态的影响
机译:覆盖层和原子互扩散对单双自组装InAs / GaAs量子点中应变分布的影响
机译:紧密堆积的InAs / GaAs量子点具有长波长发射的偏振光致发光性质的GaAs第一层厚度与厚度的关系
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:具有优化的GaAsSbN覆盖层的InAs / GaAs量子点的长波长室温发光
机译:单层和双层自组装Inas / Gaas量子点中覆盖层和原子相互扩散对应变分布的影响
机译:单层厚度假单晶Inas单量子阱异质结构的光致发光和受激发射
机译:利用AlGaAs插入层调节InGaAs量子点发射波长的方法。
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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