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汪雷; 唐景昌; 胡艳芳; 王学森;
浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室;
香港科技大学物理系;
氮化硅; 锗; 硅; 扫描隧道显微镜; 表面生长过程; 气相沉积; 薄膜;
机译:STM研究在不同生长温度下“ V”形图案化Si(001)表面上连续Ge生长
机译:STM研究Stranski-Krastanow在Si(111)和(001)表面上Ge的不同生长机理
机译:Si(111)3〜(1/2)×3〜(1/2)-b表面Ge异质外延生长的Stm研究
机译:结合源的分子束外延生长Si(Ge)/ Si_(1-x)Ge_x结构中合金界面附近合金的表面过程动力学和机理
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:Si(001)表面上CMOS兼容的Ge量子点的致密阵列:UHV MBE生长过程中的簇簇成核原子结构和阵列寿命
机译:Bi表面活性剂介导的生长用于制备Si,Ge纳米结构以及通过STM研究Si,Ge互混
机译:si-Ge mBE生长过程中表面偏析的原子过程
机译:Si_3N_4陶瓷,用于制造该Si_3N_4陶瓷的Si族组成及其制造方法
机译:在结构化si(113)-表面上选择性外延生长si或siφ1-φφ×φgeφ×φ的方法
机译:3D:Si SiGe Ge原子层刻蚀3D结构:水平和垂直表面上的SI和SIGE和GE光滑度
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