构建激光再晶化Si-Ge互扩抑制模型及制备Ge/Si虚衬底的方法

摘要

本发明涉及一种构建激光再晶化Si‑Ge互扩抑制模型及制备Ge/Si虚衬底的方法，本发明的模型构建方法针对激光再晶化Si衬底上Ge外延层的过程中Si‑Ge存在相互扩散问题，建立热方程、Si‑Ge相互扩散系数以及述Si‑Ge相互扩散方程，通过模型推导与仿真，建立了激光再晶化Si‑Ge互扩抑制模型，根据所述Si‑Ge互扩抑制模型可以优化激光再晶化工艺参数，使得激光再晶化制备Ge/Si虚衬底过程中，抑制Si‑Ge相互扩散现象，为激光再晶化技术制备高质量的Si衬底上Ge外延层提供重要技术参考。