首页> 中文学位 >Si上Ge外延薄膜激光再晶化关键技术研究
【6h】

Si上Ge外延薄膜激光再晶化关键技术研究

代理获取

目录

声明

插图索引

表格索引

符号对照表

缩略语对照表

第一章 绪论

1.1 研究背景与意义

1.2 Si上Ge外延生长技术国内外研究进展

1.3 本文的主要工作

第二章 Si上Ge激光再晶化理论与建模

2.1 传热学原理

2.2 基于FDTD的激光吸收与反射建模

2.3 基于COMSOL的有限元建模

2.4 本章小结

第三章 Si上Ge激光再晶化热物理模型

3.1 Ge/Si外延层FDTD仿真结果与讨论

3.2 Ge/Si外延层COMSOL仿真结果与讨论

3.3 GeOI激光再晶化相关模型

3.4 本章小结

第四章 激光再晶化Si-Ge相互扩散研究

4.1 Si-Ge相互扩散机制

4.2 Si-Ge相互扩散建模

4.3 Si-Ge相互扩散Sentaurus工艺仿真

4.4 本章总结

第五章 总结与展望

参考文献

致谢

作者简介

展开▼

著录项

  • 作者

    张洁;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 宋建军;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类
  • 关键词

    外延薄膜; 激光; 晶化;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号