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汤梦饶; 黄巍; 李成; 郑元宇;
中国电子学会;
镍锗薄膜; 外延生长; 热稳定性; 电学特性; 金属-氧化物-半导体器件;
机译:薄外延Ge-on-Si衬底上的NiGe中氢(H)离子簇射掺杂抑制锗锗(NiGe)的团聚和Ni的渗透
机译:脉冲准分子激光退火在Ge(100)上形成外延亚稳态NiGe_2薄膜
机译:反应沉积外延法在Ge(001)上制备NiGe:原位超高真空透射电镜研究
机译:在Si {Sub} 0.8Ge {Sub} 0.2 / Si基板上沉积在Si {Sub} 0.8 / Si基板上外延生长的紧张Si层2的电学特性
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:NiGe(Si)薄膜的热稳定性和NiGe(Si)/ Ge(Si)触点的电特性
机译:通过湿法氧化沉积在si(100)上的非晶siGe层产生的外延si(1-X)GE(x)薄膜的形成
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
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