Si表面生长Ge量子点的研究进展

摘要

本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析，回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。