生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响

吴军; 顾书林; 施毅; 江宁; 朱顺明; 郑有炓; 王牧; 刘晓勇; 闵乃本

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生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响

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对利用超低压化学气相淀积(VLP-CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延(MBE)的结果,这种现象与VLP-CVD表面控制反应模式有关.实验表明,选择适当的生长温度可以在Si上自组织生长具有窄尺寸分布和高密度的Ge量子点.

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来源
《高技术通讯》|2000年第4期|34-37|共4页
作者
吴军; 顾书林; 施毅; 江宁; 朱顺明; 郑有炓; 王牧; 刘晓勇; 闵乃本;
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作者单位

南京大学物理系国家固体微结构实验室,南京,210093;

南京大学物理系国家固体微结构实验室,南京,210093;

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南京大学物理系国家固体微结构实验室,南京,210093;

南京大学物理系国家固体微结构实验室,南京,210093;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
Ge量子点; 超低压化学气相淀积; 自组织生长;

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