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吴桂芳; 史守华; 何玉平; 王磊; 陈良; 孙兆奇;
安徽大学物理系;
中国科学院固体物理所内耗与固体缺陷开放实验室;
溅射Cu膜; 退火温度; 微结构; 应力; 光学相移法; 硅基片; 集成电路; 铜薄膜; 微电子技术;
机译:镁膜厚度和退火温度对磁控溅射在硅(111)衬底上形成Mg_2Si膜的影响
机译:沉积后退火温度和环境温度对n型硅衬底上射频磁控溅射Sm_2O_3栅极的影响
机译:沉积后退火温度和环境温度对n型硅衬底上射频磁控溅射Sm 2 sub> O 3 sub>栅极的影响
机译:样品中心内硅薄膜上铜膜上的溅射铜膜的残余应力表征
机译:(100)硅上溅射镍钛薄膜的等温和等时退火过程中的应力演变。
机译:通过射频磁控溅射生长的富硅Al2O3膜:结构和光致发光特性与退火处理的关系
机译:薄膜厚度对溅射铜膜退火纹理演变的影响
机译:不同老化热处理 - 退火 - 退火和老化热处理对1,400°F温度下的拉伸,蠕变和应力 - 破裂强度的影响
机译:可以简化使用金属催化剂和半导体装置制造多晶硅膜的制造方法的制造方法,从而可以降低形成硅的硬掩模的热退火温度和时间。
机译:应力消除退火后特性优异的附着力成膜且无降解的超低铁硅单向硅钢片的生产方法
机译:具有低介电常数和低膜应力的硅基绝缘膜的形成方法
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