首页> 中文会议>陕西省物理学会2009年学术年会 >退火温度对脉冲激光沉积法制备的硅基纳米硅薄膜性能影响的研究

退火温度对脉冲激光沉积法制备的硅基纳米硅薄膜性能影响的研究

摘要

采用脉冲激光沉积法制备了硅基纳米硅薄膜。用原子力显微镜和拉曼光谱研究了薄膜的表面结构与微观结构,经过不同温度退火处理的薄膜表面有硅晶产生,拉曼光谱显示薄膜为非晶硅与晶硅的混合相结构。薄膜的光致荧光谱显示薄膜有蓝光和红光产生,蓝光与薄膜中Si02的中性氧缺陷有关,而红光与纳米硅的量子限制效应有关。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号