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吴桂芳; 宋学平; 刘勇; 林伟; 孙兆奇;
安徽大学物理系;
衬底温度; 溅射硅基铜膜; 基片温度; 微结构; 光学相位移法; 薄膜应力; 超大规模集成电路;
机译:Cu / TaN / SiO2 / Si多层结构中通过离子化金属等离子体溅射和化学气相沉积制备的铜膜的比较研究
机译:用升高的衬底温度和其表征通过一步溅射制造Cu(LN,Ga)S_XSE_(2-X)膜的制造
机译:衬底温度对作为背面接触的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池溅射钼膜的影响
机译:激光溅射材料,铜和铝对硅基板之间的粘附机理=硅衬底激光速度材料,铜和铝之间的粘合机制
机译:射频溅射制备的GdBa2Cu3O7-δ薄膜的微观结构和应力依赖性
机译:在各种衬底温度下在上轴3C-SiC(111)/ Si(111)基板顶部的AlN膜的溅射
机译:用俄歇电子能谱研究溅射al-si-Cu薄膜中的铜偏析。
机译:Cu-Mn Cu-Mn Cu-Mn Cu-Mn合金膜和Cu-Mn合金溅射靶材及Cu-Mn合金膜的成膜方法
机译:Cu-Ga合金材料,溅射靶,Cu-Ga合金材料的制造方法,Cu-In-Ga-Se合金膜以及Cu-In-Ga-Se合金膜的制造方法
机译:作为形成使用了Cu合金配线膜和该Cu合金配线膜的平板显示器用TFT部件的配线膜,以及Cu合金溅射靶用无效平板显示器用的TFT部件。
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