机译:在各种衬底温度下在上轴3C-SiC(111)/ Si(111)基板顶部的AlN膜的溅射
机译:在各种衬底温度下在轴上和轴外3C-SiC(111)/ Si(111)衬底上溅射AlN膜
机译:在离轴(111)Si衬底上生长的高质量6英寸(111)3C-SiC膜
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)衬底上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射,退火后处理和表征
机译:在具有多个AlN缓冲层的各种生长温度的Si(111)衬底上生长的GaN膜的表征
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射,退火后处理和表征
机译:温度,生长动力学和基底对RF轴外溅射沉积YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(sub 7)薄膜微观结构的影响