机译:沉积后退火温度和环境温度对n型硅衬底上射频磁控溅射Sm_2O_3栅极的影响
Energy Efficient and Sustainable Semiconductor Research Group, School of Materials and Mineral Resources Engineering,Engineering Campus, Universiti Sains Malaysia, 14300 Nibong Tebal, Pulau Pinang, Malaysia;
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机译:沉积后退火温度和环境温度对n型硅衬底上射频磁控溅射Sm 2 sub> O 3 sub>栅极的影响
机译:沉积后退火温度对通过射频磁控溅射技术沉积在硅基板上的CeO(2)薄膜的影响
机译:沉积后退火环境对氮化镓上射频磁控溅射Y_2O_3栅极的化学,结构和电性能的影响
机译:射频磁控溅射法在铁氟龙衬底上溅射纳米晶硅薄膜的沉积温度依赖性
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:沉积后退火环境对氮化镓上射频磁控溅射Y2O3薄膜能带取向的影响
机译:沉积后退火环境对氮化镓上射频磁控溅射YO薄膜能带取向的影响
机译:基板温度,偏压,退火和Cr sub 3 si sub 2底涂层对射频溅射mos sub 2涂层摩擦学性能的综合影响的统计研究