MEMS SOI高温压力传感器芯片

摘要

研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片.压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离,解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题.研制的高温压力芯片压力量程为0～2 MPa,室温1 mA条件下满量程输出信号达到100 mV以上,非线性小于0.15％FS,压力迟滞小于0.05％FS.在-55～+150℃温度范围内,零点温度系数小于20μV/℃,灵敏度温度系数小于0.02％FS/℃,零点温度迟滞小于0.1％FS.将芯片样本在150℃环境下进行了短期零点时漂测试验证其稳定性,结果优于0.05％FS.