真空镀膜中膜厚均匀性的研究

摘要

在半导体器件生产过程中,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的.蒸镀不仅能制备引线,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段.但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀,影响膜厚的因素很多,实际生产中,陪片由于与其它正片的几何位置不同,因此膜厚不同.其差别可达1%～20%,但在大量的文献分析及应用中被忽略.针对两种常见的蒸发源,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置,使误差可控制在1%,甚至0.1%.