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亓文杰; 李炳宗;
不详;
硅化钛; 薄膜; 界面; 氧化层; 固相反应;
机译:Ti / Mo / Si体系固相反应中C40和C54 TiSi2共存
机译:在IR / TIW / SiO2 / Si基板上溅射IR / TIW / SiO2 / Si基板的重型Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的原位域形成的起源
机译:Ni / Ti / Si(001)体系中固相反应低温形成外延NiSi_2层
机译:n型GaN / SiO2界面氧化镓层自体形成的理论预测
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:轻量级SiC / TISI2复合材料中的界面设计反应性渗透过程:富含液体Si-Ti合金和玻璃碳之间的相互作用现象
机译:在SiO2 / Si(100)和Pt / Ti / SiO2 / Si(100)基材上高度C轴取向Bi3.25LA0.75Ti3O12薄膜的形成和特性
机译:硅氧化研究:siO2和si-siO2界面物理和化学中薄膜二氧化硅形成的最新研究综述
机译:Si / SiO2界面氟掺杂过程中控制SiO2腐蚀的方法
机译:具有布线层的半导体器件,该布线层包括TISI2,C49或C54结构的薄膜
机译:PZT,PLZT和将SiO2层与铂层分离的改进方法(从PZT,PLZT和铂层隔离SiO2层的改进方法)
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