导通电阻全球最小!罗姆06年内将供应SiC功率MOSFET样品

摘要

罗姆公司（ROHM）日前开发出了采用导通电阻降至约为原来一半的SiC的功率MOSFET。将于2006年内供应工业样品。耐电压900V，导通电阻为3．1mΩ·cm2。在SiC MOSFET中，导通电阻为全球最小，只有耐电压相同、采用硅的DMOS的约1／80或IGBT的约1／6。主要面向工业设备及混合动力车的马达驱动电路及电源电路等。