首页> 中文期刊> 《网络安全与数据治理》 >罗姆全球首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

罗姆全球首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

         

摘要

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V的第2代SiC(Siliconcarbide:碳化硅)MOSFET”SCH2080KE”。此产品损耗低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号