+200℃におけるオン抵抗が100mΩのSiCパワーMOSFET、STMicroが発売

摘要

伊仏合弁STMicroelectronics社は、+200℃と高い動作温度における特性を規定した+1200V耐圧のSiC （炭化シリコン）パヮーMOSFET「SCT30N120」を発売した。「特性を規定した温度として、+200℃は業界で最も高い」（同社）。例えば、+200℃におけるオン抵抗は100mΩ（ゲート-ソース間電圧が+20Vのときの標準值）である。