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瑞萨科技公司发布导通电阻极低的P沟道功率MOSFET

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正日前,瑞萨科技公司发布了HAT1125H、30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的导通电阻(2.7mΩ),可用于笔记本电脑和类似产品的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。与瑞萨科技以前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是导通电阻

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来源
《半导体信息》 |2004年第6期|P.19-19|共1页
作者
章从福;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
P沟道; 导通电阻; 瑞萨科技; 击穿电压; 锂离子电池; 笔记本电脑; 电控制; 并联使用; 铿离子电池; 工业标准;

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