Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

摘要

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一肖旨在1．2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。