一种无电阻结构带隙基准源电路

摘要

cqvip:使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV GS来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃~145℃温度范围内,温漂系数是15×10^-6/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。