机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:可调谐带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调谐直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:六角形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料
机译:宽带隙材料的设计朝着可调带隙方向发展,并增加了带注入特性:硅烷与周围的咔唑基取代基一起中断π共轭
机译:具有非线性复合材料和超材料的一维光子晶体中的电可调谐全向光子带隙
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:六角形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料
机译:六角形ZnSE结构转换的仿真证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料