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可调控带隙的Cu2Zn(GexSn1-x)Se4纳米晶的合成

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本文采用热注入法制备了不同Ge元素掺杂比例的CZTGSe纳米晶,纳米晶的尺寸在1020 nm之间.采用X射线衍射仪(XRD、投射电子显微镜(TEM)及UV-Vis光谱分析仪对纳米晶的结构、形貌、成分及光学性能等进行了分析研究.发现Ge元素掺杂量为0.7时,CZTGSe的禁带宽度为1.52 eV,十分接近薄膜太阳能电池材料理想的禁带宽度.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|179|共1页
会议地点北京
作者
宗恺; 鹿思珩; 孙玉绣; 刘晶冰; 汪浩; 严辉;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
铜锌镓硒纳米晶; 热注入工艺; 理化性质; 禁带宽度;

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