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马建斌; 中国科学院微电子研究所; 计峰; 金湘亮; 陈杰;
中国电子学会;
集成电路; 电路结构; 带隙基准;
机译:新型3.9ppm / C CMOS宽温度范围CMOS带隙基准电路
机译:宽温度范围,高精度和低温系数的CMOS带隙基准电路的设计
机译:电容性MEMS压力传感器的差分宽温度范围CMOS接口电路
机译:5V 10PPM /°C CMOS带隙电压参考,具有宽操作温度范围
机译:CMOS带隙基准电路。
机译:用于电容式mEms压力传感器的差分宽温度范围CmOs接口电路
机译:在1至2微米波长范围内测定宽能带隙HgCdTe的一般特性和特性
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:全CMOS低压宽温度范围参考电压电路
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