MOCVD生长AlN改进化学反应模型的数值模拟探究

王丹; 卢钦; 时亚茹

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MOCVD生长AlN改进化学反应模型的数值模拟探究

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针对MOCVD-AlN生长的寄生反应很严重的现象,改进化学模型,通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布,发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值.垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈,其中聚合物粒子浓度在上壁面下方以三聚物和二聚物最高,AlN粒子在反应器中分布较为均匀,垂直喷淋式反应器模拟得到的AlN生长速率比实验值低.

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来源
《山东工业技术》|2018年第11期|204-206|共3页
作者
王丹; 卢钦; 时亚茹;
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作者单位

重庆能源职业学院能源工程系,重庆 402260;

长城汽车股份有限公司,河北保定 071000;

重庆能源职业学院能源工程系,重庆 402260;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
MOCVD; 化学模型; AlN; 数值模拟;
入库时间 2022-08-18 06:40:39

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