机译:通过改进的流动调制MOCVD在c面蓝宝石衬底上生长的Al和N极性AlN层
Nanoscience Development and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan;
A1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds;
机译:通过低压流动调制MOCVD改善c面蓝宝石上N极AlN层的晶体质量
机译:通过MOCVD通过PALE技术在c面蓝宝石上生长的无裂纹AlN缓冲层的标准压力沉积
机译:由HOT-WALL MOCVD在SIC上生长的N极性ALN成核层:基板取向对极性,表面形态和晶体质量的影响
机译:C面蓝宝石衬底略微误定向角对MOCVD生长GaN薄膜表面和晶体质量的影响
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层