机译:通过低压流动调制MOCVD改善c面蓝宝石上N极AlN层的晶体质量
Nanoscience Development and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan;
A1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds;
机译:通过低压流动调制MOCVD改善c面蓝宝石上N极AlN层的晶体质量
机译:通过改进的流动调制MOCVD在c面蓝宝石衬底上生长的Al和N极性AlN层
机译:通过MOCVD通过PALE技术在c面蓝宝石上生长的无裂纹AlN缓冲层的标准压力沉积
机译:基于蓝宝石的模板种植的同性记GaN和ALN层的材料质量改进
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层