声明
摘要
第一章 绪论
1.1 AlN和GaN材料
1.2 MOCVD基本原理
1.3 MOCVD反应室与输运过程
1.4 MOCVD生长AlN和GaN的化学反应原理
1.5 国内外研究现状
1.6 存在的问题和本文研究目标
第二章 化学反应动力学和计算化学介绍
2.1 反应动力学基础
2.1.1 反应速率方程和质量作用定律
2.1.2 温度对反应速率的影响
2.1.3 碰撞理论
2.1.4 表面吸附
2.2 计算化学理论基础
2.2.1 分子坐标
2.2.2 势能面
2.2.3 过渡态理论
2.2.4 分子力场
2.3 量子化学基础
2.3.1 波思-奥本海默近似
2.3.2 轨道近似
2.3.3 密度泛函理论
2.4 Gaussian软件介绍
2.4.1 计算方法介绍
2.4.2 计算基组
2.5 本章小结
第三章 温度对MOCVD生长AlN/GaN化学反应路径的影响
3.1 计算模型
3.2 计算方法的校核
3.3 计算结果与讨论
3.3.1 NH3不过量情况
3.3.2 NH3过量情况
3.3.3 分解反应
3.3.4 H2直接参与分解反应
3.4 本章小结
第四章 AlN形成纳米粒子路径的探讨
4.1 计算方法选择
4.2 结果与讨论
4.3 本章小结
第五章 全文总结
5.1 文章总结
5.2 存在的不足
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文
江苏大学;