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王宝良; 左然; 孟素慈; 陈鹏;
江苏大学能源与动力工程学院;
江苏大学化学化工学院;
南京大学电子科学与工程学院;
AlN/GaN; MOCVD; 密度泛函理论; 化学反应路径;
机译:GaN / AlN MOVPE生长中加合物反应路径随温度变化的量子化学研究
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:通过MOCVD研究TMAl预流对Si(111)上生长的AlN和GaN膜性能的影响
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:用于LED制造的GaN,AlGaN和AlN层的生长:使用“热壁” MOCVD系统的生长条件研究
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。
机译:用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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