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孙再吉;
无;
半导体器件; 场效应晶体管; HEMT; HBT;
机译:GaAs HBT-HEMT过程的单片三堆功率放大器的设计与分析
机译:使用GaAs HBT和GaN HEMT的全集成宽带,高增益,高功率和高效率UHF放大器
机译:使用GaAs HBT-HEMT共基/共源平衡拓扑的$ Ka $波段单片高效四倍频器的设计和分析
机译:使用GaAs-Hbts和GaN-Hemts的C类PAS效率超过90%的开关模式放大器IC
机译:氮化镓HEMT和磷化铟HBT技术中的MMIC功率放大器。
机译:接受家庭测试和咨询(HBTC)的客户是否利用传递的HIV预防信息?肯尼亚城市非正式居住区居民中先前接受过HBTC的一项研究。
机译:开关模式放大器IC,使用Gaas-HBT和GaN-HEmT,具有超过90%的效率,适用于s类功率放大器
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:HBT,耗尽型HEMT和增强型HEMT的单片集成的结构和方法
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
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