机译:GaAs HBT-HEMT过程的单片三堆功率放大器的设计与分析
机译:单片3.5至6.5 GHz GaAs HBT-HEMT /共发射极和共栅堆叠式功率放大器
机译:具有铜金属化正面的低噪声放大器的微波砷化镓单片集成电路的设计-处理特征
机译:采用基于GaAs的0.1- / spl mu / m栅极GaAs HEMT MMIC生产工艺技术的94-GHz单片平衡功率放大器
机译:GaAs HBT-HEMT工艺中具有开关输出网络的全集成功率放大器
机译:磷化铟镓/砷化镓HBT工艺中的高线性度两瓦功率放大器设计,用于多频段无线应用。
机译:高平均功率Yb:CaF2飞秒放大器集成了同时进行时空聚焦的激光材料加工
机译:共面波导技术中的67 GHz 0.3 um AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT单片放大器的设计和表征