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王义; 李拂晓; 唐世军; 郑维彬;
单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;
GaAs pHEMT; 宽带; 准单片; 功率放大器;
机译:使用10GHz频段的磁环天线的准光学天线混频器阵列
机译:准光天线混频器阵列使用10GHz带中的磁环天线
机译:射频器件实用电路收集-第2部分1M至10GHz频带的检测电路和50M至1GHz频带的1W放大器:动态范围55dB-1M至10GHz频带的检测电路
机译:使用单片半导体光学放大器和电动吸引调制器装置,直接产生10GHz的10GHz的1.5μm,2.1 ps脉冲
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:生长习惯的可塑性在高海拔地区不在单片数单片中延长生理成本
机译:具有GaAs HBT的宽带高效单片功率放大器
机译:单片微波集成电路(mmIC)宽带功率放大器(第2部分)。
机译:功率放大器具有一个由单片集成的单片极构成的低频电路,该电路用于确定增益和抑制扇区
机译:准单片偏振分束器组件
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