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穆甫臣; 薛青;
北京大学微电子所,北京;
可靠性; 热载流子效应; 场效应晶体管; MOSFET;
机译:深亚微米SOI N-MOSFET处于断态工作时的热载流子效应和寿命预测
机译:在改性晶片上制造的部分耗尽SOI pMOSFET的异常热载流子效应分析
机译:总电离剂量对PD I / O SOI PMOSFET热载流子效应的影响研究
机译:深亚微米SOI-MOSFET处于断态工作期间的热载流子效应:老化特性和缺陷评估
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:可靠性的逻辑综合-控制电迁移和热载流子效应的早期开始
机译:可靠性 - 热载流子效应的VLsI设计
机译:使n-MOSFET器件中的热载流子效应最小化的方法
机译:N MOSFET器件中的热载流子效应最小化的方法
机译:集成电源电路,例如测量MOSFET的通态电阻,具有带端口的功率成分,以及将MOSFET的内部开关连接端口与一个内部电路点和一个外部电路点连接的端口
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