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AlGaN/GaN二维电子气的特性研究

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应用 Al Ga N/Ga N异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程 ,求出了异质结能带和二维电子气分布。研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅电压变化对二维电子气特性的影响。着重研究了栅电压对二维电子气特性的控制作用 ,提出了使用薄势垒和重掺杂沟道的新

著录项

来源
《微纳电子技术》 |2001年第6期|47-51|共5页
作者
薛舫时;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;TN304.23;
关键词
异质结能带; 二维电子气; 结构设计; 铝镓氮化合物; 氮化镓;

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