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射频功率; 氮化镓; 半导体公司; GaN; 工艺; 技术; 产品; 功率晶体管;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:氮化镓(GaN):5G的关键技术
机译:高温高压技术不断扩展的下一代半导体世界:IHI机械系统对难以批量生产的氮化镓(GaN)制造技术提出了挑战。
机译:耗尽型氮化镓(GaN)射频功率晶体管的基于物理的简单而精确的紧凑型电路仿真模型
机译:目标激活,管理关注和资源分配:组织目标对创新的影响。对全球手机行业中的技术商业化和新产品推出的研究。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:[alN / GaN] 20和20中的界面声子模式 [al0.35Ga0.65N / al0.55Ga0.45N] 20 2D多量子阱结构
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:用于剥离/推出冲孔栅/内部形成的部件并在精密消隐压力机中推出冲孔栅格/内部形成的部分
机译:用于推出的空白-和运输容器,用于推出的盖子的空白-和运输容器,用于推出的下部-和运输容器的下部,用于推出的盖子-和运输容器,如以及通风和运输容器
机译:氮化镓(GaN)和氮化镓(GaN)的气相生长方法
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