静电放电(ESD)引起砷化镓MES结构的退化

摘要

详细研究了ESD脉冲对GaAs金属-半导体结构退化的影响。结果表明GaAs MES器件在大于-50V的负ESD脉冲下I_(ds)-V_(ds)特性严重退化,而在+250～+1000V大范围内的正脉冲下,I_(ds)-V_(ds)特性只有微小变化。结果还表明,ESD敏感性与“人体电路”的放电电容和介质周围的环境温度有关。假设了两种与所加脉冲极性有关的失效机理,它们决定了器件受静电应力而引起的退化程度。