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吴阿慧;
InP基; HEMT; 晶体管; D波段; 单片振荡; 倍频链;
机译:使用基于InP的HEMT的D波段单片基本振荡器
机译:高增益单片D波段InP HEMT放大器
机译:使用基于InP的HEMT的完全集成的单片D波段振荡器-倍频器链
机译:III-V INXGA1-XAS / INP MOS-HEMT为100-340GHz通信系统
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:GaN基HEMT单片X波段低噪声放大器的温度依赖性
机译:采用Inalas / InGaas HEmT的W波段单片振荡器
机译:InP基上的HEMT组分具有可变的铝百分比含量的肖特基势垒,具有较低的第一铝含量层,每层具有较高的浓度区域
机译:含肖特基势垒的InP基HEMT铝种比例在一定范围内
机译:制作完全集成的单片光接收机的方法
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