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钟英辉; 李凯凯; 李新建; 金智;
郑州大学物理工程学院,郑州450001;
中国科学院微电子研究所,北京100029;
高电子迁移率晶体管; 低噪声放大电路; 磷化铟; 共源共栅;
机译:使用PHEMT MMIC的W波段,高增益,低噪声放大器
机译:高性能W波段低噪声InGaAs HEMT MMIC放大器
机译:采用高击穿电压InP / InGaAs DHBT技术的5.8 dBm P dB sub>高增益W波段低噪声放大器
机译:基于InP的W波段高增益钝化0.15 / spl mu / m InP基HEMT MMIC技术,在InP衬底上具有高热稳定性
机译:使用氮化镓HEMT的毫米波宽带功率放大器MMIC的开发。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用70 nm栅极长度InP HEMT技术的W波段MMIC放大器
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC
机译:具有平坦的高增益和低噪声系数的光纤放大器被称为平坦化的高增益和低噪声系数。
机译:具有单片可调HBT有源反馈的低噪声低失真HEMT低噪声放大器(LNA)
机译:具有单片可调HBT有源反馈的低噪声低失真Hemt低噪声放大器(LNA)
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