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In_（0．53）Ga_（0．47）A_S表面钝化及降低界面态密度的方法

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采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．

著录项

来源
《微纳电子技术》 |1996年第4期|54-57|共4页
作者
管玉国; 戴国瑞; 赵军;
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作者单位

吉林大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.05;
关键词
钝化方法; 界面态密度; 半导体材料;

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