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Response to “Comment on ‘Reduction of interface-state density in 4H–SiC n-type metal–oxide–semiconductor structures using high-temperature hydrogen annealing’ ” Appl. Phys. Lett. 78, 4043 (2001)

机译：使用高温氢退火'“Appl，响应4H-SiC n型金属氧化物半导体结构中的”关于“界面状态密度的界面密度的降低。”物理。吧。 78,4043（2001）

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作者
K. Fukuda; K. Arai; S. Suzuki; T. Tanaka;
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年度 2001
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