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邹勉;
三菱化学; GaN; 氮化镓; 外延片; 发光二极管; 强化氮化; 基板; 功率晶体管; 功率转换; 激光二极管;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:三菱化学提高LED氮化镓衬底的产量
机译:三菱化学,生产氮化镓板的LED
机译:用于宽带氮化镓(GaN)混合放大器的有机基板上的低成本,封装倒装芯片封装
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:通过直接在连续氢化物气相外延(HVPE)过程中直接形成的多肽中间层(GaN)的自由型氮化镓(GaN)的生长
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓(GaN)非依赖性基板的制造方法,GaN晶体的制造方法以及GaN基板的制造方法
机译:GaN LED镓氮化物/氮化镓器件的氮化铝在AC LED的硅基板上的集成
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