Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

摘要

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020Q，可提高移动电子设备的效率。