Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET

摘要

日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω，可提高移动电子设备的效率。